MOSFET：全称Metal-Oxide Field-Effect Transistor金属氧化物半导体场效应管，先解释一下MOSFET的各个字母的意义：M: Metal 金属；O: Oxide 氧化物；S: Semiconductor 半导体；F: Field 场；E: Effect 效应；T: Transistor 晶体管

它是LED+MOSFET芯片=继电器功能，实现继电器功能的。

光耦MOSFET是一种全固态继电器，由输入侧的发光二极管（LED）和触点的MOSFET组成。因此，通常将其称为SSR（固态继电器）。与传统的机械继电器相比，光耦合MOSFET不仅体积更小，重量更轻，而且更易于驱动和实现更高的速度。而且它也几乎不会产生噪音。这些功能使其成为理想的继电器。结构和特征描述如下。

如图所示，光耦合MOSFET由输入侧的发光二极管（LED），面向LED的光电二极管（PVD）和用作触点的MOSFET组成。如图所示，光耦合MOSFET由输入侧的发光二极管（LED），面向LED的光电二极管（PVD）和用作触点的MOSFET组成。

当正向电流流过时，输入发光二极管（LED）发出红外光。当此光照射在光电二极管（PVD）上时，PVD中会产生电压。

当此电压施加到MOSFET的栅极时，MOSFET会打开和关闭漏极电流。

有两个MOSFET反向串联连接，因此它们也可以切换交流电。

此外，由于存在两种类型的MOSFET，即常关型（增强型）和常导通型（耗尽型），因此可以通过使用将其设为正门极电压，并通过提供负门极电压的连接使其成为B触点（断路触点）型继电器。

此外，我们的光耦合MOSFET内部具有原始的驱动控制器。当LED停止发光时，控制器会加速MOSFET栅极的放电。

从而实现平滑的高速切换操作。

由于这种结构，输入和输出完全电绝缘，而输出侧触点在正向和反向都实现了具有良好线性度和高截止特性的导电性。

此外，如下图所示，在我们的光耦合MOSFET中，输入LED和输出侧的PVD用具有高透明度的高度绝缘树脂彼此绝缘，并且外部还被黑色覆盖。深色的深色树脂。

机械继电器中不存在的超小型产品，例如小外形封装（SOP）和超小型扁平引线型光耦合MOSFET，正在陆续开发中，非常适合需要高端产品的设备。可放置在体积小，重量轻的笔记本电脑，移动信息终端和各种适配器卡等需要高密度安装的半导体测试设备上。