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MOS FET继电器的构成和动作原理:
MOS FET继电器即光耦继电器,MOS FET全称Metal-Oxide Field-Effect Transistor,其中M: Metal---金属,O: Oxide---氧化物,S: Semiconductor---半导体,F: Field---场,E: Effect---效应,T: Transistor---晶体管,代表金属氧化物半导体场效应管。它的内部由3个芯片构成,LED芯片+PDA芯片(光电二极管阵列)+MOS FET芯片共同组成,工作原理是通过LED发光--PDA发电--MOSFET开关,这三个过程相结合实现继电器 的功能。
MOS FET继电器是在输出元件中使用功率MOS FET的SSR。为使功率MOS FET动作, 光电二极管阵列作为受光元件使用。输入端子中有电流流过时, LED会发光。这个光使光电二极管阵列中发生光电流, 这使栅极电压使功率MOS FET置于ON。用源共通连接2个功率MOS FET, 可控制AC负载。DC专用的类型中有带1个电源 MOS FET的类型。
厂商名 |
样本上的名称 |
东芝 |
光继电器 |
松下电工 |
Photo MOS继电器 |
日本电气 |
光MOSFET继电器 |
冲电气 |
光MOS开关 |
冲田制作所 |
Photo DMOS-FET继电器 |
HP |
Solid State Relay |
欧姆龙 |
MOS FET继电器 |