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光耦继电器G3VM-31HR1光敏半导体MOS FET

光耦继电器G3VM-31HR1光敏半导体MOS FET

产品分类:MOS FET继电器
产品说明:
  • 种类
  • 额定/性能
  • 外形尺寸
  • 注意事项

SOP6针封装,实现与机械式继电器相当的低导通电阻、高容量开关的光敏半导体MOS FET
连续负载电流 4.5A(9A)*
* C连接时的值为()中的值。

种类

形状 接点结构 端子种类 负载电压
(最大) ∗1
连续负载电流
(最大) ∗1
型号 最小包装 单位(个)
A、B连接 C连接 包装状态/
杆状
包装状态/
带状
SOP6 1a 表面安装端子 30V 4.5A 9.0A G3VM-31HR1 75 ---
G3VM-31HR1(TR05) --- 500

额定 / 性能

(Ta = 25°C)

项目 符号 定值 单位 条件


LED正向电流 IF 30 mA  
直流正向电流降低比率 ΔIF/ºC -0.3 mA/ºC Ta≥25ºC
LED反向电压 VR 6 V  
粘合部位温度 TJ 125 ºC  


负载电压(峰值AC/DC) VOFF 30 V  
连续负载电流 A连接 IO 4500 mA A连接:峰值AC/DC
B、C连接:DC
B连接
C连接 9000
导通电流降低 比率 A连接 ΔIO/ºC -45 mA/ºC Ta≥25ºC
B连接
C连接 -90
脉冲导通电流 Iop 13.5 A t=100ms, Duty=1/10
粘合部位温度 TJ 125 ºC  
输入输出间耐电压∗1 VI-O 1500 Vrms AC持续1分钟
使用环境温度 Ta -40~+110 ºC 无结冰、无凝露
保存温度 Tstg -55~+125 ºC
焊接温度条件   260 ºC 10s

电气性能

(Ta = 25°C)

项目 符号 最小 标准 最大 单位 条件


LED正向电压 VF 1.50 1.65 1.80 V IF=10mA
反向电流 IR --- --- 10 µA VR=5V
端子间电容 CT --- 70 --- pF V=0、f=1MHz
触发LED正向电流 IFT --- 0.3 3 mA IO=1000mA
复位LED正向电流 IFC 0.1 --- --- mA IOFF=10μA


最大输出导通电阻 A连接 RON --- 0.022 --- Ω IF=5mA
IO=4.5A(A、B连接)、
IO=9A(C连接)、
t <1S
B连接 --- 0.011 ---
C连接 --- 0.006 ---
A连接 --- --- 0.03
B连接 --- --- 0.015
C连接 --- --- 0.008
开路时漏电流 ILEAK --- --- 1000 nA VOFF=30V
端子间电容 COFF --- 1200 --- pF V=0、f=1MHz
输入输出间电容 CI-O --- 0.8 --- pF f=1MHz、VS=0V
输出输入间电容绝缘电阻 RI-O 1000 108 --- VI-O=500VDC、
RoH≤60%
动作时间 tON --- 0.6 2 ms IF=5 mA、
RL=200Ω、
VDD=20V∗2
复位时间 tOFF --- 0.15 0.5

外形尺寸

(单位 : mm)

※标记内容与实际商品有所不同。

G3VM-31HR1

  • 表面安装端子

    (重量:0.13g)

    表面安装端子
  • 实际焊盘尺寸

    (推荐值 TOP View)

    实际焊盘尺寸
    端子配置/内部接线图

    (Top View)

    端子配置/内部接线图